本標準專有名詞及符號定義如下：一、半導體製造業：指從事積體電路晶圓製造、晶圓封裝、磊晶、光罩製造、導線架製造等作業者。
二、積體電路晶圓製造作業(WaferFabrication)：指將各種規格晶圓生產各種用途之晶圓之作業，包括經由物理氣相沈積(PhysicalVaporDeposition)、化學氣相沈積(ChemicalVaporDeposition)、光阻、微影(Photolithography)、蝕刻(Etching)、擴散、離子植入(IonImplantation)、氧化與熱處理等製程。
三、積體電路晶圓封裝作業(WaferPackage)：指將製造完成之各種用途之晶圓生產成為半導體產品之作業，包括經由切割成片狀的晶粒(Dice)，再經焊接、電鍍、有機溶劑清洗和酸洗等製程。
四、光阻劑：指實施積體電路晶圓製造之選擇蝕刻時，所需耐酸性之感光劑。
五、光阻製程：指晶圓經過光組劑的塗佈、曝光、顯像，使晶圓上形成各類型電路的製程。
六、揮發性有機物(VolatileOrganicCompounds,VOCs)：係指有機化合物成份之總稱。
但不包括甲烷、一氧化碳、二氧化碳、碳酸、碳化物、碳酸鹽、碳酸銨等化合物。
七、密閉排氣系統(ClosedVentSystem)：係指可將設備或製程設備元件排出或逸散出之空氣污染物，捕集並輸送至污染防制設備，使傳送之氣體不直接與大氣接觸之系統。
該系統包括管線及連接裝置。
八、污染防制設備：係指處理廢氣之熱焚化爐、觸媒焚化爐、鍋爐或加熱爐等密閉式焚化設施、冷凝器、吸附裝置、吸收塔、廢氣燃燒塔、生物處理設施或其它經中央主管機關認定者。
九、工廠總排放量：係指同一廠場周界內所有排放管道排放某單一空氣污染物之總和；單位為kg/hr。
十、污染防制設備削減量及排放削減率之計算公式如下：(一)污染防制設備削減量=E-E0；單位為kg/hr。
(二)排放削減率=(E-E0)/E×100％；單位為％。
E：經密閉排氣系統進入污染防制設備前之氣狀污染物質量流率，單位為kg/hr。
Eo(排放量)：經污染防制設備後逕排大氣之氣狀污染物質量流率，單位為kg/hr。
十一、潤濕因子：洗滌循環水量／(填充物比表面積×洗滌塔填充段水平截面積)，單位為m2/hr。
十二、洗滌循環水量：濕式洗滌設備內部流過填充物之洗滌水體積流量，單位為m3/hr。
十三、填充物比表面積：濕式洗滌設備之填充物單位體積內所能提供之氣液接觸面積，單位為m2/m3。
十四、洗滌塔填充段水平截面積：濕式洗滌設備內部裝載填充物部份之水平橫截面積，單位為m2。
十五、流量計：任何可直接或間接測得廢氣排放體積流量之設施。
十六、每季有效監測率：(每季污染源操作小時數－每季污染源操作期間連續自動監測器失效小時數)／每季污染源操作小時數。
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